紫光集團于6月30日正式發(fā)文公告組建DRAM事業(yè)群，由曾任工信部電子信息司司長的刁石京擔任事業(yè)群董事長，而CEO由高啟全擔任。這也是在晉華事件后，中國自主開發(fā)DRAM產品的另一新里程碑。

據估計，紫光DRAM事業(yè)群雖在草創(chuàng)初期，但已有長江存儲的蓋廠經驗，且蓋廠人員未有大異動下，迅速完成DRAM新廠的興建并不困難；地點方面，紫光集團除了在南京有工廠正在興建外，跟重慶亦有密切的合作，不排除是其新工廠的另一選擇；技術方面，紫光集團旗下的IC設計公司紫光國微，具有DRAM相關產品的研發(fā)實力，未來若能整合至紫光，將助力其DRAM事業(yè)群發(fā)展。目前紫光欠缺的是DRAM的制程技術，這部分預計可望藉由其新任CEO的業(yè)界人脈進行補強。

觀察中國存儲器產業(yè)發(fā)展，自2014年以來歷經大基金的成立以及各地方政府投入發(fā)展，DRAM產業(yè)出線的有合肥長鑫與晉華集成兩家，NAND Flash產業(yè)以長江存儲為發(fā)展主力，但富士康半導體亦在2018年宣布與珠海市政府正式簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，將在珠海規(guī)劃12英寸半導體廠，傳聞意圖進軍DRAM產業(yè)，至今尚未有進一步的消息。

集邦咨詢指出，紫光并非首次計劃進軍DRAM產業(yè)，早在2014年期間紫光就曾表達出研發(fā)DRAM的決心，但當時為了平衡產業(yè)與地方發(fā)展，確立紫光發(fā)展NAND Flash的路線，DRAM研發(fā)之路無疾而終。此次紫光集團重返DRAM研發(fā)之路，其原因分析如下：首先是福建晉華事件最終導致量產與未來研發(fā)之路都不容易。其次是雖然合肥長鑫五月在上海參加全球半導體聯(lián)盟存儲器論壇（GSA Memory＋Conference）時，預計今年底量產8Gb的DRAM產品，但僅有一家正在進行的DRAM廠對中國自主開發(fā)DRAM產品的目標而言是不足的，特別在中美貿易摩擦之后，如何擁有與國際接軌與競爭的產品，是中國目前至關重要的議題。