產(chǎn)品簡(jiǎn)介 ：公司采用硅烷西門(mén)子法生產(chǎn)的電子級(jí)多晶硅料，是國(guó)內(nèi)極少數(shù)有能力量產(chǎn)電子級(jí)超純多晶硅的企業(yè)。
                  電子級(jí)多晶硅塊產(chǎn)品CZ與區(qū)熔級(jí)硅棒FZ代表公司最高技術(shù)水準(zhǔn)。產(chǎn)品純度高達(dá)11N，且具有高致密性。其中區(qū)熔級(jí)產(chǎn)品為國(guó)內(nèi)唯一能夠生產(chǎn)此產(chǎn)品的企
                  業(yè)，擁有明顯的進(jìn)口替代能力。
應(yīng)用領(lǐng)域：CZ塊硅產(chǎn)品主要應(yīng)用于：半導(dǎo)體直拉單晶生產(chǎn)、特別是大規(guī)模集成電路（CPU、GPU等）用硅片生產(chǎn)，同時(shí)還可用于高品質(zhì)光伏單晶生產(chǎn)領(lǐng)域。
                  FZ硅棒應(yīng)用于分立器件、大功率半導(dǎo)體IGBT等半導(dǎo)體生產(chǎn)。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 12963- -2009 《硅多晶》

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 ：我公司引進(jìn)美國(guó)REC Silicon FBR-B（第二代流化床）技術(shù)生產(chǎn)的粒狀多晶硅，是國(guó)內(nèi)唯一具備大規(guī)模量產(chǎn)能力的粒狀硅生產(chǎn)企業(yè)。
                  FBR工藝綜合電耗較西門(mén)子法下降明顯，有利于降低產(chǎn)品成本、FBR反應(yīng)器所具備的最長(zhǎng)200天連續(xù)生產(chǎn)能力也遠(yuǎn)優(yōu)于改良西門(mén)子法，產(chǎn)品經(jīng)篩分及拋光，顆
                  粒表面光潔度高，雜質(zhì)含量低。粒狀硅產(chǎn)品所具有的小顆粒、流動(dòng)性等特點(diǎn)使其在下游應(yīng)用過(guò)程中作用巨大。
應(yīng)用領(lǐng)域：粒狀硅無(wú)需破碎可直接用于多晶鑄錠及單晶拉制。
                  FBR粒狀多晶硅運(yùn)用在下游多晶鑄錠生產(chǎn)中，作為坩堝鋪底和填縫使用，將有利于增加坩堝裝載量，增加鑄錠企業(yè)單位產(chǎn)出，降低生產(chǎn)成本。
                  近年流行的單晶CCZ（連續(xù)直拉）生產(chǎn)過(guò)程中，粒狀硅具有西門(mén)子塊狀硅難以替代的便于連續(xù)加料等優(yōu)勢(shì)，非常適合大直徑單晶連續(xù)拉制使用。
執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 12963- -2009 《硅多晶》

產(chǎn)品簡(jiǎn)介 ：電子級(jí)高純硅烷氣作為公司硅烷生產(chǎn)部主要產(chǎn)品，純度高達(dá)99.9999%，在滿(mǎn)足超純硅生產(chǎn)部及FBR生產(chǎn)需要的同時(shí)，公司具備500MT/年硅烷氣充裝外售能
                  力。
                  硅烷氣產(chǎn)品采用代理商模式開(kāi)展銷(xiāo)售工作，REC上海辦事處作為我公司合作方利用成熟的市場(chǎng)銷(xiāo)售渠道與操作經(jīng)驗(yàn)幫助我們更加順利的進(jìn)入下游應(yīng)用市場(chǎng)。
應(yīng)用領(lǐng)域：

硅烷氣主要應(yīng)用領(lǐng)域
產(chǎn)品	應(yīng)用領(lǐng)域	具體應(yīng)用
硅烷氣	太陽(yáng)能電池	晶硅電池氮化硅減反射膜制備
	平板顯示(TFT-LCD)	氮化硅絕緣保護(hù)膜、非晶硅層膜
	半導(dǎo)體	外延硅淀積、氧化硅膜淀積、氮化硅膜淀積

執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 12963- -2009 《硅多晶》